属ⅲ-ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,医院净化工程,晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带宽度1.4电子伏。于1964年进入实用阶段。可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。
等离子体由离子、电子以及未电离的中性粒子的集合组成,整体呈中性的物质状态。等离子体可分为两种:高温和低温等离子体。等离子体温度分别用电子温度和离子温度表示,两者相等称为高温等离子体;不相等则称低温等离子体。低温等离子体广泛运用于多种等离子体发生器生产领域。
掌握“半导体”单晶生产技术作为第二代半导体,单晶因其价格昂贵而素有“半导体”之称。2001年7月31日,科学家---已掌握一种生产这种材料的新技术
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