属ⅲ-ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,空调净化工程,晶格常数5.65×10-10m,福州净化工程,熔点1237℃,禁带宽度1.4电子伏。于1964年进入实用阶段。可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,车间净化工程,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。
液、气外,物质存在的第四态。等离子体是一种---的导电体,利用经过巧妙设计的磁场可以、移动和加速等离子体。等离子体物理的发展为材料、能源、信息、环境空间、空间物理、地球物理等科学的进一步发展提供了新的技术和工艺。
美国贝尔实验室是晶体管、激光器、太阳能电池、发光二极管、数字交换机、通信、电子数字计算机、蜂窝移动通信设备、长途电视传送、语言、有声电影、立体声录音,以及通信网等许多重大发明的诞。
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